





壓電式傳感器也廣泛應用在生物醫學測量中,比如說心室導管式微音器就是由壓電傳感器制成的,因為測量動態壓力是如此普遍,所以壓電傳感器的應用就非常廣。
除了壓電傳感器之外,還有利用壓阻效應制造出來的壓阻傳感器,利用應變效應的應變式傳感器等,這些不同的壓力傳感器利用不同的效應和不同的材料,在不同的場合能夠發揮它們獨特的用途。

其實正壓送風系統原理很簡單,在高層建筑消防系統中,電梯前室和樓梯間是通過正壓送風機送風的,通過正壓送風壓力傳感器檢測前室和樓梯間的通風壓力或壓差,然后輸出信號接通樓頂旁通泄壓閥控制箱電源,處于樓頂的旁通泄壓閥打開進行送風泄壓,降低壓力或壓差值,當壓力或壓差值降低到一定值,正壓送風壓力傳感器觸點斷開,控制樓頂旁通閥斷電,旁通閥閉合停止泄壓。
多晶硅電阻膜的準確阻值
此外,與單晶硅壓阻相比,多晶硅壓阻膜可以在不同的材料襯底上制作,如在介電體(SiO2、Si3N4)上。其制備過程與常規半導體工藝兼容,且無PN結隔離問題,因而適合更高工作溫度(t≥200℃)場合使用。在相同工作溫度下,多晶硅壓阻膜與單晶硅壓阻膜相比,可更有效地抑制溫度漂移,有利于長期穩定性的實現。多晶硅電阻膜的準確阻值可以通過光刻手段獲得。 綜上所述,多晶硅膜具有較寬的工作溫度范圍(-60~+300℃),可調的電阻率特性、可調的溫度系數、較高的應變靈敏系數及能達到準確調整阻值的特點。所以在研制微傳感器和微執行器時,利用多晶硅膜這些電學特性,有時比只用單晶硅更有價值。例如,利用機械性能優異的單晶硅制作感壓膜片,在其上覆蓋一層介質膜SiO2,再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結構的微型前室壓差控制器定制,發揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優勢,其工作高溫至少可達200℃,甚至300℃;低溫為-60℃。

化合物半導體材料硅是制作微機電器件和裝置的主要材料
四、化合物半導體材料 硅是制作微機電器件和裝置的主要材料。為了提高器件和系統的性能以及擴大應用范圍,化合物半導體材料在某些專門技術方面起著重要作用。如在紅外光、可見光及紫外光波段的成像器和探測器中,PbSe、InAs、Hg1-xCdxTe(x代表Cd的百分比)等材料得到日益廣泛的應用。 現以紅外探測器為例加以說明。利用紅外幅射與物質作用產生的各種效應發展起來的,實用的光敏探測器,主要是針對紅外幅射在大氣傳輸中透射率為清晰的3個波段(1-3μm,3-5μm,8-14μm)研制的。對于波長1-3μm敏感的探測器有PbS、InAs及Hg0.61Cd0.39Te;對于波長3-5μm敏感的探測器有InAs、PbSe及Hg0.73Cd0.27Te;對于波長8-14μm敏感的探險測器則有Pb1-xSnxTe、Hg0.8Cd0.2Te及非本征(摻雜)半導體Ge:Hg,Si:Ga及Si:Al等。其中3元合金Hg1-xCdxTe是一種本征吸收材料,通過調整材料的組分,不僅可以制成適合3個波段的器件,還可以開發更長工作波段(1-30μm)的應用,因而備受人們的關注。 須指出的是,上述材料需要在低溫(如77K)下工作。因為在室溫下,由于晶格振動能量與雜質能量的相互作用,使熱激勵的載流子數增加,而激發的光子數則明顯減少,從而降低了波長區的探測靈敏度。



